Description

MOSFET P-CH 30 V 6.6A 8-SOIC NTMS4177 NTMS4177PR2G

Teil StatusFET TypTechnologieDrain Quelle Spannung (Vdss)Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °CStick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)Rds Auf (Max) @ Id, VgsVgs (th) (Max) @ IdTor Ladung (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ VdsFET FeaturePower Ableitung (Max)Betriebs TemperaturMontage TypLieferant Gerät PaketPaket/Fall

Aktive
P-Kanal
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
6.6A (Ta)
4,5 V, 10 V
12 mOhm @ 11.4A, 10 V
2,5 V @ 250 & micro; EIN
55nC @ 10 V
± 20 V
3100pF @ 24 V
-
840 mW (Ta)
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Oberfläche Montieren
8-SOIC
8-SOIC (0,154 ", 3,90mm Breite)